NOUAILHAT, F: шукати на сайті Z-Library

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 683 KB

english, 1978

Interpretation of deep-level optical spectroscopy and deep-level transient spectroscopy data: Application to irradiation defects in GaAs

Loualiche, S., Nouailhat, A., Guillot, G., Lannoo, M.

Журнал:

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 745 KB

english, 1984

Kinetics of defect accumulation under electron irradiation in KBr at 4 K

Mercier, E., Guillot, G., Nouailhat, A.

Журнал:

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 492 KB

english, 1979

Defect identification in electron-irradiated GaAs

Loualiche, S., Guillot, G., Nouailhat, A., Bourgoin, J.

Журнал:

Guillot, G., Nouailhat, A.

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 120 KB

english, 1982

-center formation and interstitial stabilization mechanism in alkali halides irradiated at 77 K

Журнал:

Reviews in American History

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 1979

The Donor Level Ti3+/Ti4+ in InP: Electrical and Optical Properties

Bremond, G., Guillot, Gérard, Nouailhat, A., Lambert, Bertrand, Toudic, Yves, Gauneau, M., Deveaud, B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

1986

Файл:

PDF, 300 KB

1986

The View from Abroad: The Bellagio Conference on American History || Franco-American Relations: French Perspectives

Yves-Henri Nouailhat

Журнал:

Рік:

1986

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.07 MB

english, 1986

Spectroscopic investigation of vanadium in InP

B. Clerjaud, D. Côte, C. Naud, G. Bremond, G. Guillot, A. Nouailhat

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 283 KB

english, 1987

Electric field effect on the luminescence of KI:T1

A. Nouailhat, R. Perrenoud, M.A. Aegerter, J. Rossel

Журнал:

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 585 KB

english, 1973

Influence of the interstitials on the excitonic luminescence of KI

G. Guillot, A. Nouailhat, E. Mercier, P. Pinard

Журнал:

Рік:

1976

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 1976

Electric field effect on the mechanisms of recombination in KI doped with divalent ions

A. Nouailhat

Журнал:

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 85 KB

english, 1978

Decay of 3d element internal photoluminescence transitions in III–V semiconductors

G. Guillot, C. Benjeddou, P. Leyral, A. Nouailhat

Журнал:

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 140 KB

english, 1984

Radio and thermoluminescence studies in CsI doped with F centers

J.P. Pellaux, T. Sidler, A. Nouailhat, M.A. Aegerter

Журнал:

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 268 KB

english, 1973

Study of Vκ centers in CsI crystal

T. Sidler, J.-P. Pellaux, A. Nouailhat, M.A. Aegerter

Журнал:

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 260 KB

english, 1973

Interstitial-exciton interaction in KBr:Na

A. Nouailhat, G. Guillot, E. Mercier

Журнал:

Рік:

1976

Мова:

english

Файл:

PDF, 191 KB

english, 1976

Quenching of luminescence and exciton diffusion in KI at low temperature

A. Nouailhat, G. Guillot, E. Mercier

Журнал:

Truong van Khiem, A. Nouailhat

Рік:

1977

Мова:

english

Файл:

PDF, 206 KB

english, 1977

The free exciton in KI and RbI: Emissions related to the triplet B exciton

Журнал:

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 337 KB

english, 1981

Optical characterization of the deep Cr level in GaAs

P. Leyral, F. Litty, S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 1981

Fe deep level optical spectroscopy in InP

G. Bremond, A. Nouailhat, G. Guillot, B. Cockayne

Журнал:

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 310 KB

english, 1982

Study of E3 trap annealing in GaAs by DDLTS technique

S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 439 KB

english, 1982

Quenching effect of luminescence in bulk semi-insulating GaAs

P. Leyral, G. Vincent, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 239 KB

english, 1982

Theoretical discussion of deep level optical and thermal spectroscopy in semiconductors: Application to E1 and E2 in GaAs

S. Loualiche, A. Nouailhat, M. Lannoo

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 338 KB

english, 1984

Interpretation of profiles obtained by C(V) technique in presence of deep traps: Application to proton irradiated GaAs samples

S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 496 KB

english, 1982

Impact ionization effects in silicon vertical JFET's

A. Chantre, A. Granier, N. Degros, A. Nouailhat

Журнал:

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 185 KB

english, 1991

Performance of a CMOS compatible polysilicon bipolar transistor with high energy ion implanted collector

A. Marty, N. Degors, J. Kirtsch, A. Chantre, A. Nouailhat

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 242 KB

english, 1992

Base profile tail effects on the low temperature operation of silicon bipolar transistors

N. Degors, A. Chantre, A. Nouailhat

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 226 KB

english, 1992

Optical ionization cross sections of the traps created in 1 MeV electron irradiated n-type Ga1-xAlxAs

S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Physica B+C

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 335 KB

english, 1983

Deep level optical spectroscopy of the levels introduced by transition metals in GaAs

F. Litty, P. Leyral, S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillot, M. Lannoo

Журнал:

Physica B+C

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 215 KB

english, 1983

Photoluminescence studies of GaxIn1−xAsyP1−y lattice-matched to InP

Claudine Charreaux, Gérard Guillot, Alain Nouailhat, Daniel Huet, Marc Lambert

Журнал:

Physica B+C

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 253 KB

english, 1985

Influence of the Purity of Crystals on the Stability of F-Centers and Interstitials in Alkali Halides

G. Guillot, A. Nouailhat

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 219 KB

english, 1978

Quenching of the cathodoluminescence of some alkali halides as a function of concentration of colour centres at 90°K and 300°K

A. Nouailhat, G. Guillot, P. Pinard

Журнал:

Рік:

1972

Мова:

english

Файл:

PDF, 325 KB

english, 1972

Polariton effects in the resonant emission of KI and RbI

A. Nouailhat, G. Guillot, E. Mercier, Truong Van Khiem

Журнал:

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 214 KB

english, 1979

Radiative recombinations at the deep impurity centers in InP:Fe under YAG laser excitation

P. Leyral, G. Bremond, A. Nouailhat, G. Guillot

Журнал:

Journal of Solid State Chemistry

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 206 KB

english, 1981

Cathodoluminescence of KCl single crystals at room temperature

A. Nouailhat, P. Pinard

Журнал:

Рік:

1970

Мова:

english

Файл:

PDF, 232 KB

english, 1970

Photoluminescence studies of Mg and Hg implanted Ga0.47In0.53As

A. Louati, C. Charreaux, A. Nouailhat, G. Guillot, P.N. Favennec, M. Salvi

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 261 KB

english, 1987

Identification of the acceptor level V3+/2+in GaAs and a new experimental observation of V2in “low spin” ground state in GaAs

G. Bremond, N. Hizem, G. Guillot, M. Gavand, A. Nouailhat, W. Ulrici

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 1989

Analysis and minimization of small-geometry effects on the current gain of self-aligned `etched-polysilicon' emitter bipolar transistors

Nouailhat, A., Giroult-Matlakowski, G., Marty, A., Degors, N., Bruni, M.-D., Chantre, A.

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 668 KB

english, 1992

Low-frequency noise sources in polysilicon emitter BJT's: influence of hot-electron-induced degradation and post-stress recovery

Mounib, A., Balestra, F., Mathieu, N., Brini, J., Ghibaudo, G., Chovet, A., Chantre, A., Nouailhat, A.

Журнал:

Chantre, A., Festes, G., Giroult-Matlakowski, G., Nouailhat, A.

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 602 KB

english, 1995

Identification of a corner tunneling current component in advanced CMOS-compatible bipolar transistors

Журнал:

Chantre, A., Festes, G., Giroult-Matlakowski, G., Nouailhat, A.

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 412 KB

english, 1991

An investigation of nonideal base currents in advanced self-aligned `etched-polysilicon' emitter bipolar transistors

Журнал: